发明名称 Halbleitervorrichtung, mikro-elektromechanischen Resonator und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
摘要 Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Silicium-Substratschicht mit einer Entkopplungsregion. Die Entkopplungsregion der Silicium-Substratschicht umfasst eine Anordnung von Lamellen, die lateral voneinander durch Hohlräume beabstandet sind. Jede Lamelle der Lamellenanordnung umfasst wenigstens 20 % Siliciumdioxid.
申请公布号 DE102014109913(A1) 申请公布日期 2015.01.22
申请号 DE201410109913 申请日期 2014.07.15
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH 发明人 KAUTZSCH, THORALF
分类号 B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00;H03B5/30 主分类号 B81B7/02
代理机构 代理人
主权项
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