发明名称 |
Halbleitervorrichtung, mikro-elektromechanischen Resonator und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Silicium-Substratschicht mit einer Entkopplungsregion. Die Entkopplungsregion der Silicium-Substratschicht umfasst eine Anordnung von Lamellen, die lateral voneinander durch Hohlräume beabstandet sind. Jede Lamelle der Lamellenanordnung umfasst wenigstens 20 % Siliciumdioxid. |
申请公布号 |
DE102014109913(A1) |
申请公布日期 |
2015.01.22 |
申请号 |
DE201410109913 |
申请日期 |
2014.07.15 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH |
发明人 |
KAUTZSCH, THORALF |
分类号 |
B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00;H03B5/30 |
主分类号 |
B81B7/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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