Halbleitervorrichtung

摘要

Eine hochzuverlässige Halbleitervorrichtung, bei der verhindert werden kann, dass wegen Schäden durch elektrostatische Entladung die Ausbeute abnimmt, wird bereitgestellt. Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die beinhaltet: eine Gate-Elektrodenschicht, eine erste Gate-Isolierschicht über der Gate-Elektrodenschicht, eine zweite Gate-Isolierschicht, die über der ersten Gate-Isolierschicht liegt und eine kleinere Dicke aufweist als die erste Gate-Isolierschicht, eine Oxidhalbleiterschicht über der zweiten Gate-Isolierschicht und eine Source-Elektrodenschicht und eine Drain-Elektrodenschicht, welche elektrisch mit der Oxidhalbleiterschicht verbunden sind. Die erste Gate-Isolierschicht enthält Stickstoff und weist eine Spindichte von 1 × 1017 Spins/cm3 oder weniger auf, welche einem Signal entspricht, das bei einem g-Faktor von 2,003 in einer Elektronenspinresonanz-Spektroskopie erscheint. Die zweite Gate-Isolierschicht enthält Stickstoff und weist eine niedrigere Wasserstoffkonzentration auf als die erste Gate-Isolierschicht.