发明名称 |
像素结构及相应的液晶显示装置 |
摘要 |
本发明涉及一种像素结构及相应的液晶显示装置。该像素结构包括像素电极、数据线、扫描线、公共电极,公共电极设置在与电极主干所在的像素电极垂直主干区域相对应的第一金属主干区域,和/或相邻像素区之间的间隔区域的第一金属层上。本发明的像素结构及相应的液晶显示装置可提高像素结构的开口率。<!--2--> |
申请公布号 |
CN102759831B |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201210248559.7 |
申请日期 |
2012.07.18 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
罗时勋;韩丙 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种像素结构,其特征在于,具有多个像素区,所述像素结构包括:像素电极,设置在对应所述像素区的像素电极层上,包括呈十字形的电极主干以及由所述电极主干延伸出来的电极支干;数据线,用于给相应的所述像素电极传送数据信号;扫描线,用于给相应的所述像素电极传送扫描信号;以及公共电极,设置在对应所述像素区的第一金属层上;所述像素电极层与所述第一金属层之间设置有用于隔开所述像素电极层与所述第一金属层的第一隔离层;所述电极主干设置在所述像素电极层的像素电极水平主干区域和像素电极垂直主干区域,所述第一金属层的第一金属主干区域与所述像素电极垂直主干区域相对应;所述公共电极设置在所述第一金属主干区域和相邻所述像素区之间的间隔区域的第一金属层上;或者,所述公共电极设置在相邻所述像素区之间的间隔区域的第一金属层上。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |