发明名称 |
离子源系统和离子束流系统 |
摘要 |
本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔,其特征在于,所述离子源系统还包括一引出电极组,所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应,所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面,所述等离子体弯月面在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。本发明通过特有的离子源扩展方式,能够在相匹配的束流传输系统结构下,避开了加大束流强度的瓶颈,从而可成倍地增大离子束在工件上的流强,提高注入离子束的带状分布均匀性,减少带状离子束的束流调整时间和束流强度损耗。 |
申请公布号 |
CN104299871A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201310297942.6 |
申请日期 |
2013.07.16 |
申请人 |
上海凯世通半导体有限公司 |
发明人 |
洪俊华;陈炯 |
分类号 |
H01J37/08(2006.01)I;H01J37/302(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海弼兴律师事务所 31283 |
代理人 |
朱水平;王聪 |
主权项 |
一种离子源系统,包括一离子源反应腔,其特征在于,所述离子源系统还包括一引出电极组,所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应,所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面,从而在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 |