制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在晶片的裸片区和边缘球状物去除(EBR)区之上形成多个插塞；形成耦合到所述插塞的金属线；去除所述EBR区中的金属线；在所述晶片之上形成层间电介质层；以及通过使用等离子体刻蚀设备的干法刻蚀工艺来选择性地刻蚀所述层间电介质层，以形成使所述金属线暴露的多个接触孔。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在晶片的裸片区和边缘球状物去除区即EBR区之上形成具有第一接触孔的第一层间电介质层图案；在形成于所述晶片的裸片区和边缘球状物去除区即EBR区之上的所述第一接触孔中形成多个插塞；在所述第一层间电介质层图案上形成具有沟槽的第二层间电介质层图案；在所述沟槽中形成耦合到所述插塞的金属线；去除所述EBR区中的金属线；在所述第二层间电介质层图案之上形成第三层间电介质层图案；以及通过使用等离子体刻蚀设备的干法刻蚀工艺来选择性地刻蚀所述第三层间电介质层图案，以形成使所述裸片区中的金属线暴露的多个接触孔，其中，所述EBR区中的金属线是在所述第三层间电介质层图案形成之前被去除的。