发明名称 多结晶晶圆之检查方法
摘要 本发明提供一种多结晶晶圆之检查方法,其具有:从光轴被配置成通过多结晶晶圆1上之照射位置P1的光源2,朝向照射位置P1照射红外线3之步骤;使红外线3从照射位置P1射入,在多结晶晶圆1内部之结晶粒界和缺陷重复折射和反射,而从朝多结晶晶圆1之面方向离开照射位置P1既定距离D之多结晶晶圆1上之摄影位置P2射出后,藉由对该摄影位置P2摄影之摄影机6而加以摄影之步骤;及在由摄影机6所获得之摄影影像上,根据无缺陷部分和缺陷部分之亮度差异而检测多结晶晶圆1内之缺陷之步骤。依照此种检查方法,可获得使多结晶晶圆1之结晶样式变淡而可明确识别缺陷存在之摄影影像,可容易且确实地进行缺陷之检测。
申请公布号 TWI468674 申请公布日期 2015.01.11
申请号 TW099117151 申请日期 2010.05.28
申请人 洛塞夫科技股份有限公司 日本 发明人 松尾贵之
分类号 G01N21/956 主分类号 G01N21/956
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项 一种多结晶晶圆之检查方法,其具有:从光轴被配置成通过多结晶晶圆上之照射位置的光源,朝向上述照射位置照射红外线之步骤;使红外线从上述照射位置射入,在上述多结晶晶圆内部之结晶粒界和缺陷重复折射和反射,而从朝上述多结晶晶圆之面方向离开上述照射位置既定距离之上述多结晶晶圆上之摄影位置射出后,藉由对上述摄影位置摄影之摄影机而加以摄影之步骤;及在由上述摄影机所获得之摄影影像上,根据无缺陷部分和缺陷部分之亮度差异而检测上述多结晶晶圆内之缺陷之步骤;上述摄影位置系被设定在设定有上述照射位置的上述多结晶晶圆面之相反侧之面,或者设定有上述照射位置的上述多结晶晶圆面之相同面。
地址 日本