| 发明名称 |
多晶矽锭与其制造方法及其用途 |
| 摘要 |
本发明之多晶矽锭制造方法系使坩埚中之熔融矽自上述坩埚之底部向上方进行单向凝固而制造多晶矽锭之方法，且将矽温度达到矽之熔点时之坩埚下表面部之检测温度设为Tm，于上述检测温度自(Tm-20)℃降低至(Tm-60)℃为止期间，存在以1~10℃/小时之温度变化率使温度降低之时间，于此条件下使上述熔融矽进行单向凝固而获得多晶矽锭。 |
| 申请公布号 |
TWI468563 |
申请公布日期 |
2015.01.11 |
| 申请号 |
TW101145319 |
申请日期 |
2012.12.03 |
| 申请人 |
夏普股份有限公司 日本 |
发明人 |
大石隆一;上野和也;尾本公彦 |
| 分类号 |
C30B28/06;C30B29/06;H01L31/028 |
主分类号 |
C30B28/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;林宗宏 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种多晶矽锭制造方法，其系使坩埚中之熔融矽自上述坩埚之底部向上方进行单向凝固而制造多晶矽锭之方法，且将矽温度达到矽之熔点时之坩埚下表面中央部之检测温度设为Tm，于上述检测温度自(Tm-20)℃降低至(Tm-60)℃为止期间，存在以1~10℃/小时之温度变化率使温度降低之时间，于此条件下使上述熔融矽进行单向凝固而获得多晶矽锭。 |
| 地址 |
日本 |
