发明名称 一种多晶硅生产中的余热回收装置
摘要 本实用新型公开了一种多晶硅生产中的余热回收装置,包括:保温罩,其呈钟罩型,底部是敞开的,内部是中空的,保温罩的壳体壁由内层壳体和外层壳体构成,下边缘焊接在一起,从而在外层壳体与内层壳体之间形成一进气腔,外层壳体上开设有与进气腔连通的若干第一进气口;第一进气环,内侧壁向内伸出若干第一进气接头,各第一进气接头连接至一个第一进气口;第一进气管,其一端连接至第一进气环,另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口。使用时,将保温罩罩在多晶硅生产的反应器上,再将第一进气管连接至反应器的排气口上,将高温气体导入至保温罩的进气腔内,从而对反应器起到保温作用,保证多晶硅生产的稳定进行,充分利用多晶硅生产中的余热。
申请公布号 CN204079494U 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201420499795.0 申请日期 2014.09.01
申请人 中国化学工程第六建设有限公司 发明人 李海军;王卫锋;崔凯彬
分类号 C01B33/035(2006.01)I 主分类号 C01B33/035(2006.01)I
代理机构 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人 史霞
主权项 一种多晶硅生产中的余热回收装置,其特征在于,包括:保温罩,其呈钟罩型,底部是敞开的,内部是中空的,所述保温罩的壳体壁由内层壳体和外层壳体构成,所述外层壳体包覆在所述内层壳体的外侧,所述外层壳体和所述内层壳体的下边缘焊接在一起,从而在所述外层壳体与所述内层壳体之间形成一进气腔,所述外层壳体上开设有与所述进气腔连通的若干第一进气口,若干第一进气口均位于所述外层壳体的下部且分布在一个圆周上,所述外层壳体的顶部开设有出气口;第一进气环,其内部中空,套设在所述保温罩的外侧,所述第一进气环的内侧壁向内伸出若干的第一进气接头,各第一进气接头连接至一个第一进气口;第一进气管,其一端连接至所述第一进气环,另一端连接至多晶硅生产反应器的排气口,所述第一进气管上设置有第一阀门;其中,在所述保温罩上设置有贯通所述保温罩的多个孔道,各孔道通过孔道壁与所述进气腔相隔离,所述出气口上设置有第三阀门。
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