电介质瓷组成物以及陶瓷电子零件

摘要

本发明的电介质瓷组成物，是含有钙钛矿型化合物(ABO₃)，相对于100摩尔的化合物，用各氧化物换算，含有0.6～2.5摩尔的RA₂O₃(RA为Dy、Gd以及Td中选出的一种以上)、0.2～1.0摩尔的RB₂O₃(RB为Ho和/或Y)、0.1～1.0摩尔的RC₂O₃(RC为Yb和/或Lu)、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的Si化合物，RA₂O₃的含量(α)、RB₂O₃的含量(β)、RC₂O₃的含量(γ)满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0。这种电介质瓷组成物最好是使用于电介质层的厚度为5.0微米以下的电子零件。如果采用本发明，则能够提供即使是在电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物以及电子零件。

主权项

一种电介质瓷组成物，其特征在于，作为主成分，含有用一般式ABO₃表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物，A是Ba、Ca和Sr中选出的至少一种，B是从Ti和Zr选出的至少一种，相对于100摩尔的上述化合物，作为副成分，含有用RA₂O₃换算，0.6～2.5摩尔的RA氧化物，RA为Dy、Gd以及Tb形成的一群中选出的至少一种、用RB₂O₃换算，0.2～1.0摩尔的RB氧化物，RB为Ho和Y形成的一群中选出的至少一种、用RC₂O₃换算为0.1～1.0摩尔的RC氧化物，RC为Yb及Lu形成的一群中选出的至少一种、用Mg换算为0.8～2.0摩尔的Mg氧化物、用Si换算为1.2～3.0摩尔的含Si化合物；相对于100摩尔的上述化合物，上述RA氧化物的含量、上述RB氧化物的含量以及上述RC氧化物的含量分别记为α、β、γ时，满足关系式1.2≤α/β≤5.0、0.5≤β/γ≤10.0，作为副成分，还含有以V、Mo、W换算为0.03～0.12摩尔的从V、Mo、W形成的一群中选出的至少一种氧化物，作为副成分，还含有以Mn和Cr换算为0.10～0.2摩尔的Mn和/或Cr的氧化物。