| 摘要 |
Epitaxie-Struktur einer lichtemittierenden Einrichtung, umfassend ein Substrat (10); eine Nitrid-Halbleiter-Leitschicht (20) als erste Halbleiter-Leitschicht, die auf dem Substrat (10) ausgebildet ist; eine aktive Schicht (30), die als Schichtabfolge von Quantentöpfen auf der Nitrid-Halbleiter-Leitschicht (20) ausgebildet ist; und eine zweite Halbleiter-Leitschicht (40), die auf der aktiven Schicht (30) ausgebildet ist; wobei eine Vielzahl von Teilchen aus wenigstens einem Heteromaterial, das sich vom Material der Nitrid-Halbleiter-Leitschicht (20) unterscheidet, zwischen der Nitrid-Halbleiter-Leitschicht (20) und der aktiven Schicht (30) zufällig gestreut sind, um eine Schichtabfolge von Quantentöpfen (30) mit einer Vielzahl von ungleichmäßigen und unebenen Oberflächen auszubilden. |
