发明名称 Mehrstufige Umverdrahtungsschicht für die Integration mehrerer Chips
摘要 Ein Paket mit mehreren Chips und einer gemeinsamen Umverdrahtungsschicht wird beschrieben. In einem Beispiel werden ein erster und ein zweiter Chip gebildet, wobei der erste und der zweite Chips jeweils unterschiedliche Höhen haben, Die Chips werden auf einem Substrat platziert. Der erste, der zweite oder beide Chips werden abgeschliffen, sodass der erste und der zweite Chip ungefähr dieselbe Höhe haben. Schichten, z. B. Umverdrahtungsschichten, die über dem ersten und dem zweiten Chip gleichzeitig mithilfe eines einzigen Prozesses gebildet werden, und der erste und der zweite Chip und die gebildeten Schichten sind verpackt.
申请公布号 DE102014109096(A1) 申请公布日期 2014.12.31
申请号 DE201410109096 申请日期 2014.06.27
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 GOETZ, EDMUND;MEMMLER, BERND;MOLZER, WOLFGANG;MAHNKOPF, REINHARD
分类号 H01L21/60;H01L23/50;H01L25/065 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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