一种由集成电路组成的半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括制造集成电路，并将集成电路封装；其中制造集成电路包括：提供芯片；制造引线支架；固定芯片，引出引线及封装。其中制造引线支架包括：熔融，注入坯模，冷却；将铸坯热轧压延；将热轧带材反复进行冷轧压延和双级连续退火；冷轧压延加工使其厚度变化量达到40％以上，再进行低温退火，得到带材成品，制造过程中控制成分含量Fe2.0～2.6wt％、Ti0.05～0.1wt％、B0.01～0.03wt％、Na0～0.05wt％、Mo0.01～1.5wt％、其余为Cu和杂质。本发明的铜铁合金合金组织均匀、析出相细小弥散，抗拉强度高、硬度高、电导率高、延伸率高，能较好地满足电子工业领域对引线框架材料性能的诸多要求。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括制造集成电路，并将集成电路封装，其特征在于，所述制造集成电路包括如下步骤：(一)提供芯片；(二)制造引线支架，其中制造引线支架包括如下步骤：(1)首先将主料及辅料在1250～1350℃熔融后注入坯模，在液相线温度至380℃的温度范围内以80℃/min以上的冷却速度进行冷却，在制造过程中控制合金成分及含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；其中，所述主料为1号电解铜，所述辅料为铜铁中间合金、铜硼中间合金、单质钛、单质钠和钼；(2)将得到的铸坯在1000℃以下的加热温度进行热轧压延，在制造过程中控制成分含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；(3)将热轧带材反复进行冷轧压延和300℃～600℃双级连续退火，在制造过程中控制成分含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；(4)进行冷轧压延加工使其厚度变化量达到40％以上，再进行420℃以下的低温退火，得到带材成品，在制造过程中控制成分含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；(5)采用上述带材制成引线支架；(三)将芯片固定在引线支架上，在芯片上引出引线，用封装材料将其封装。