硅精制装置

摘要

本发明提供一种硅精制装置，所述硅精制装置在通过真空熔融工业制备高纯度的硅时使用，具有高的P移除速率以及因此高的生产率，并且是具有简单且廉价的装置构造的在成本方面实用的装置。这种硅精制装置包括在设置有真空泵的减压容器中的：容纳金属硅材料的坩埚，加热所述坩埚的加热装置，和熔融金属表面隔热构件，所述熔融金属表面隔热构件覆盖硅熔融金属的上方部分并且具有开口面积小于所述硅熔融金属表面积的排气开口。所述熔融金属表面隔热构件包括层压隔热材料，所述层压隔热材料具有其中三个以上层压体彼此以预定间隔层压的多层结构，并且所述层压隔热材料基于所述多层结构发挥辐射热隔绝功能。

主权项

一种硅精制装置，所述硅精制装置包括在设置有真空泵的减压容器中的：容纳金属硅材料的在上端具有开口的坩埚；加热所述坩埚的加热装置；和熔融金属表面隔热构件，所述熔融金属表面隔热构件布置在所述坩埚的上部以覆盖硅熔融金属的上方部分并且具有开口面积小于所述硅熔融金属表面积的排气开口，其中所述熔融金属表面隔热构件包括层压隔热材料，所述层压隔热材料具有其中三个以上层压体彼此以预定间隔层压的多层结构，并且所述层压隔热材料基于所述多层结构发挥辐射热隔绝功能。