半导体元件及其形成方法

摘要

一种半导体元件及其形成方法。半导体结构形成于基板上，且包含第一第一型金氧半场效电晶体及第二第一型金氧半场效电晶体。第一第一型金氧半场效电晶体具有形成于基板上之第一闸极结构、第一源极区及第一汲极区。第二第一型金氧半场效电晶体具有形成于基板上之第二闸极结构、第二源极区及第二汲极区。第一第一型金氧半场效电晶体以第一光罩进行第一口袋布植，第二第一型金氧半场效电晶体以第二光罩进行第二口袋布植，且第二闸极结构之方向与第一闸极结构之方向不同。

主权项

一种半导体元件，形成于一基板上，包含：一第一第一型金氧半场效电晶体，具有形成于该基板上之一第一闸极结构、一第一源极区、及一第一汲极区；以及一第二第一型金氧半场效电晶体，具有形成于该基板上之一第二闸极结构、一第二源极区、及一第二汲极区；其中，该第一第一型金氧半场效电晶体以一第一光罩进行一第一口袋布植，该第二第一型金氧半场效电晶体以一第二光罩进行一第二口袋布植，且该第二闸极结构之方向与该第一闸极结构之方向不同。