发明名称 | 场效应调控超级电容器的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种场效应调控超级电容器的制备方法。其过程如下:在衬底上沉积一层介电层材料;将电极材料分散在所述的介电层材料上;在介电层和沟道上涂布抗蚀剂,制备出源极、漏极和电容器的一个电极;在源极、漏极上涂布光刻胶;用聚二甲基硅氧烷整体封装,注入电解液,得到场效应调控超级电容器。提出了一种提高超级电容器能量密度的思路,即通过外加场效应改变材料自身的载流子分布与导电性对储能器件进行优化,在栅极电场的调控作用下,超级电容器的容量平均有3到5倍的提升,并保持有原有的倍率性能。 | ||
申请公布号 | CN104217863A | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
申请号 | CN201410458341.3 | 申请日期 | 2014.09.10 |
申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 麦立强;王佩瑶;双逸;晏梦雨 |
分类号 | H01G11/84(2013.01)I | 主分类号 | H01G11/84(2013.01)I |
代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 崔友明 |
主权项 | 一种场效应调控超级电容器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:场效应晶体管的沟道作为超级电容器的电极材料,制备出对电极,涂布光刻胶覆盖住场效应晶体管的源、漏极,封装电解液。 | ||
地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |