光刻系统光源对称性的检测方法

摘要

一种光刻系统光源对称性的检测方法，包括：提供第一掩膜，所述第一掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，所述第二标记图形的各行子图形的节距与所述第一标记图形对应列的子图形的节距相等；提供第二掩膜，所述第二掩膜上的第一标记图形和第二标记图形的位置分别与所述第一掩膜上的第二标记图形和第一标记图形的位置相对应；先采用第一掩膜、再采用第二掩膜在第一晶圆上形成第一重叠对准标记；先采用第二掩膜、再采用第一掩膜在第二晶圆上形成第二重叠对准标记；测量所述第一晶圆和第二晶圆的重叠偏移量；计算出由于光源不对称性导致的重叠偏移量。本发明的光刻系统光源对称性的检测方法操作简单，不影响正常的生产制造过程。

主权项

一种光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，包括：提供第一掩膜，所述第一掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，所述第一标记图形和所述第二标记图形具有若干呈行列排布的子图形，所述第二标记图形的各行子图形的节距与所述第一标记图形对应列的子图形的节距相等；提供第二掩膜，所述第二掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，且所述第二掩膜上的第一标记图形的位置与所述第一掩膜上的第二标记图形的位置相对应，所述第二掩膜上的第二标记图形的位置与所述第一掩膜上的第一标记图形的位置相对应；采用所述第一掩膜在第一晶圆上形成第一底层重叠对准标记，采用所述第二掩膜在所述第一底层重叠对准标记上形成第一顶层重叠对准标记；采用所述第二掩膜在第二晶圆上形成第二底层重叠对准标记，采用所述第一掩膜在第二底层重叠对准标记上形成第二顶层重叠对准标记；测量所述第一顶层重叠对准标记与所述第一底层重叠对准标记的第一重叠偏移量，测量所述第二顶层重叠对准标记与所述第二底层重叠对准标记的第二重叠偏移量；对所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量进行数据处理，计算出由于光源不对称性导致的重叠偏移量。