| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在栅电极上；半导体层，设置在栅极绝缘层上并包括多晶硅(poly-Si)层；欧姆接触层，设置在半导体层的预定区域上；绝缘的中间层，设置在基底的包括欧姆接触层的基本整个表面上；源电极和漏电极，通过形成在绝缘的中间层中的接触孔电连接到欧姆接触层。阻隔层设置在半导体层与欧姆接触层之间。因此，当控制底栅式TFT的截止电流时，可以通过简单的工艺来防止因泄漏电流导致的特性的劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN102044568B | 申请公布日期 | 2014.12.17 |
| 申请号 | CN201010504260.4 | 申请日期 | 2010.10.11 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 姜镇熙;柳春基;朴鲜;朴钟贤;李律圭 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 郭鸿禧;李娜娜 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在栅电极上；半导体层，设置在栅极绝缘层上，半导体层包括多晶硅层；欧姆接触层，设置在半导体层的预定区域上；绝缘的中间层，设置在基底的包括欧姆接触层的基本整个表面上；源电极和漏电极，通过形成在中间层中的接触孔电连接到欧姆接触层，其中，包括未掺杂的非晶硅层的阻隔层设置在半导体层与欧姆接触层之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||