发明名称 具有增强的接触区之三维积体电路装置;3-D IC DEVICE WITH ENHANCED CONTACT AREA
摘要 一种装置包括具有一凹槽之一基板,凹槽具有一底部及多侧,且从基板的上表面延伸进入基板中。这些侧包括彼此横向被配置之第一侧与第二侧。一堆叠体包括交替堆叠的主动层及绝缘层覆盖在基板的表面与凹槽上面。至少某些主动层具有一上部及下部,其分别沿着在上表面及底部上面并实质上平行于上表面及底部之上及下平面延伸。主动层具有第一与第二朝上延伸部,其沿着第一侧与第二侧被设置以从它们所属之主动层之下部延伸。导电条与该些主动层之第二朝上延伸部邻接。导电条可包括在第二朝上延伸部之侧上之侧壁间隙壁,导电条藉由层间导体连接至覆盖的导体。
申请公布号 TW201448176 申请公布日期 2014.12.16
申请号 TW103103973 申请日期 2014.02.06
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 胡志玮;叶腾豪
分类号 H01L27/115(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 代理人 <name>祁明辉</name><name>林素华</name>
主权项
地址 新竹县科学工业园区力行路16号