半导体装置及用于制造该半导体装置之方法

摘要

一半导体装置包括一第一半导体层，系于一基材上形成；一第二半导体层，系于第一半导体层上形成；一闸极凹部，系藉由移除第二半导体层之至少一部份而形成；一绝缘膜，系于闸极凹部及第二半导体层上形成；一闸极电极，系于闸极凹部上经绝缘膜形成；源极及汲极电极，系于第一及第二半导体层之一者上形成；以及一含氟化物之区域，系于相对应于形成闸极凹部之一区域之第一半导体层之一部份，及相对应于形成闸极凹部之区域之第二半导体层之一部份之一者形成。

主权项

一种半导体装置，包含：一第一半导体层，系于一基材上形成；一第二半导体层，系于该第一半导体层上形成；一闸极凹部，系藉由移除该第二半导体层之至少一部份而形成；一绝缘膜，系于该闸极凹部及该第二半导体层上形成；一闸极电极，系于该闸极凹部上经该绝缘膜形成；源极及汲极电极，系于该第一及第二半导体层之一者上形成；以及一含氟区域，系藉由将氟供给进入于相对应于形成该闸极凹部之一区域之该第一半导体层之一部份，以及相对应于形成该闸极凹部之该区域之该第二半导体层之一部份之至少一者中而形成。