Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung mit einem Substrat (14), in dem und auf dem eine Zellenstruktur (10) und eine Abschlussstruktur (12) ausgebildet sind, wobei durch die Zellenstruktur (10) ein Hauptstrom fließt, wobei die Abschlussstruktur (12) die Zellenstruktur (10) umgibt, wobei das Verfahren einen ersten Testschritt des Testens der Spannungsfestigkeit der Halbleitervorrichtung, einen Ladungsbeseitigungsschritt des Beseitigens von Ladung von einer Deckschicht (39) der Abschlussstruktur (12) nach dem ersten Testschritt, wobei die Deckschicht (39) auf dem Substrat (14) gelegen ist und aus einer Isolierlage (36) oder aus einer halbisolierenden Lage (38) ausgebildet ist, und einen zweiten Testschritt des Testens der Spannungsfestigkeit der Halbleitervorrichtung nach dem Ladungsbeseitigungsschritt enthält.