具有自我校准形貌之沟槽闸极场效电晶体（ＦＥＴ）

摘要

一种场效电晶体是形成如下。沟槽是形成在一个第一导电类型半导体区域内。一个陷在每个沟槽内的闸极电极被形成。利用一个第一光罩，一个第二导电类型本体区域是藉由植入掺杂物来形成于该半导体区域内。利用该第一光罩，第一导电类型源极区域是藉由植入掺杂物来形成于该本体区域内。

主权项

一种用于形成沟槽闸极场效电晶体的方法，包含：形成沟槽在一个第一导电类型半导体区域中；形成一个凹陷于各该等沟槽内的闸极电极；利用一个光罩，藉由植入掺杂物来形成一个第二导电类型本体区域于该半导体区域中；利用该光罩，藉由植入掺杂物来形成第一导电类型源极区域于该本体区域中；移去该光罩；在各该等沟槽内形成一介电层于该闸极电极上方；及形成接触该等源极区域与该本体区域的一互连层。