一种碳化硅单晶切割线定位的方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅单晶切割线定位的方法，本发明使用线光源照射位于晶体底面正前方的切割线，切割线在晶体底面上产生阴影直线，检测切割线与阴影直线间的距离，以此为基准调整晶体的位置，使切割线与晶体底面保持平行，切割出厚度均匀一致的晶体薄片。

主权项

一种碳化硅单晶切割线定位的方法，其特征在于，包括：1)将圆柱状碳化硅晶体固定在载物台上，将晶体任一底面抛光或研磨平整，调整晶体在载物台上的位置，使切割线与抛光后的底面平行，在抛光后的底面的正前方设置一个线光源，线光源与切割线平行，且晶体、切割线和线光源的中心在同一个平面上；2)在抛光后的底面的正前方且正对切割线的位置安装图象采集摄像机，实时采集抛光后的底面、切割线、阴影直线的图像；3)水平方向上调整晶体：调整切割线至抛光后的底面正前方2～20mm处，线光源照射切割线，在抛光后的底面上产生一条阴影直线，图象采集摄像机采集抛光后的底面、切割线、阴影直线的图像，计算切割线与阴影直线间的距离，以此距离为标准，水平调整晶体的位置，使切割线与阴影直线平行；4)竖直方向上调整晶体：调整切割线至抛光后的底面正前方2～20mm处，线光源照射切割线，在抛光后的底面上产生一条阴影直线，图象采集摄像机采集抛光后的底面、切割线、阴影直线的图像，计算切割线与阴影直线间的距离，以此距离为标准，调整切割线在抛光后的底面的竖直方向上的移动，调整晶体的前后仰角，使切割线与阴影直线间的距离在切割线移动的过程中保持固定。