| 发明名称 | 填充沟道的方法和处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。 | ||
| 申请公布号 | CN104183535A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201410228924.7 | 申请日期 | 2014.05.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 铃木大介;高桥和也;冈田充弘;小森克彦;小野寺聪 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其中，该填充沟道的方法包括如下工序：沿着划分出上述沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在上述第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成上述第2非晶硅膜后对上述被处理体进行退火。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||