| 发明名称 |
半导体装置 |
| 摘要 |
本发明之实施形态之半导体装置包含形成于半导体基板上之多晶矽膜、及形成于上述多晶矽膜上之金属之矽化膜。本发明之实施形态之半导体装置包含形成于上述矽化膜上之上述金属之氧化膜、及形成于上述氧化膜上之含有钨或钼之膜。 |
| 申请公布号 |
TWI463672 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW101109216 |
申请日期 |
2012.03.16 |
| 申请人 |
东芝股份有限公司 日本 |
发明人 |
尾本诚一 |
| 分类号 |
H01L29/788;H01L21/316;H01L21/40 |
主分类号 |
H01L29/788 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其特征在于包含：于半导体基板上依序形成有穿隧绝缘膜、浮动闸极膜、中间绝缘膜、多晶矽电极膜；进一步形成于上述多晶矽电极膜上之多晶矽膜；形成于上述多晶矽膜上之金属之矽化膜；形成于上述矽化膜上之上述金属之氧化膜；及形成于上述氧化膜上之含有钨或钼之膜。 |
| 地址 |
日本 |
