フラッシュメモリシステム

摘要

ＭＢＣフラッシュメモリデバイスを、ＳＢＣ記憶モードまたはフルＭＢＣ記憶モード容量より少ない部分ＭＢＣ記憶モードでデータを記憶するように作業する方法とシステムである。フルＭＢＣ記憶モードで、複数ページのデータがメモリセルの物理行ごとに最初のページからＮ番目のページまで連続してプログラムされる。Ｎは物理行に記憶することができる総数である。メモリセルの物理行につきＮまでの仮想ページアドレスは、物理行におけるページの仮想位置を示すためにプログラムされる各々のページを伴う。ＳＢＣまたは部分ＭＢＣデータ記憶のために、フラッシュメモリコントローラは、各物理行のために最大Ｎより少ない仮想ページアドレスを使用して、ＭＢＣメモリデバイスにプログラムコマンドを発行する。ＭＢＣメモリデバイスは、物理行のために最後の受信した仮想ページアドレスまで、プログラミング作業を連続して実行する。【選択図】図１７