半导体积体电路基板之绝缘结构及其制造方法

摘要

用于半导体基板之绝缘区域包括介电质填充沟槽及场氧化区域。不同于该等沟槽及该等场氧化区域之主要部分中之介电材料的介电材料之保护盖可用以保护结构在稍后制程步骤期间免受侵蚀。绝缘结构之顶表面与该基板之表面共平面。在该等场氧化区域下可形成场掺杂区域。为了满足不同装置之需求，该等绝缘结构可具有不同的宽度及深度。

主权项

一种在一半导体基板中形成一绝缘结构之方法，其包含：在该半导体基板之一表面处形成一场氧化区域，该场氧化区域在该基板之该表面以上及以下延伸；使该场氧化区域平坦化，以便移除该场氧化区域之一上部；在该半导体基板中形成一沟槽；在该沟槽中沈积一第一介电材料；移除该沟槽中之该第一介电材料之一部份及该场氧化区域之一部份，使得该沟槽中之该第一介电材料之一表面及该场氧化区域之一表面位于该基板之该表面的一位准之下；在该基板上沈积一第二介电材料，该第二介电材料覆盖该沟槽中之该第一介电材料及该场氧化区域之一剩余部分；及使该第二介电材料平坦化，使得该沟槽中之该第二介电材料之一上表面及该场氧化区域之该剩余部分上之一上表面实质上与该基板之该表面共平面，与该第一介电材料或该场氧化区域相比，该第二介电材料对藉由正常半导体蚀刻制程之移除具有相对较大之抗性。