| 摘要 |
1. Структура, содержащая:полупроводниковое светоизлучающее устройство, способное излучать первый свет, имеющий первую пиковую длину волны; иполупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, способный поглощать первый свет и излучать второй свет, имеющий вторую пиковую длину волны; причемполупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, присоединен к основанию и расположен на пути света, излучаемого полупроводниковым светоизлучающим устройством; иоснование является керамическим люминофором, способным излучать третий свет, имеющий третью пиковую длину волны.2. Структура по п. 1, в которой вторая пиковая длина волны красная.3. Структура по п. 1, в которой полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, включает в себя, по меньшей мере, один светоизлучающий слой, причем, по меньшей мере, один светоизлучающий слой является либо III-V полупроводником, либо II-VI полупроводником.4. Структура по п. 1, в которой поверхность керамического люминофора является либо текстурированной, либо шероховатой.5. Структура по п. 1, в которой третья пиковая длина волны является либо зеленой, либо желтой.6. Структура по п. 1, в которой основание является либо прозрачным, либо полупрозрачным, либо рассеивающим.7. Структура по п. 1, в которой основание сформировано в виде линзы.8. Структура по п. 7, в которой линза является либо полусферической линзой, либо линзой Френеля.9. Структура по п. 7, в которой диаметр линзы больше диагонали полупроводникового светоизлучающего устройства.10. Структура по п. 1, дополнительно содержащая элемент извлечения света, где полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, расположен между полупровод� |
