| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten (5), insbesondere zur Verwendung als Wafer. Das Verfahren umfasst bevorzugt die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Werkstücks (4) zum Ablösen der Festkörperschichten (5), wobei das Werkstück (4) zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist, Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Trägereinheit zum Aufnehmen mindestens einer Festkörperschicht (5), wobei die Trägereinheit eine Aufnahmeschicht (2) zum Halten der Festkörperschicht (5) aufweist, Anbringung der Aufnahmeschicht (2) an der exponierten Oberfläche des Werkstücks (4) unter Bildung einer Kompositstruktur, Erzeugen einer Bruchauslösestelle (44) durch eine vordefinierte lokale Spannungsinduzierung im Randbereich, insbesondere am Rand, des Werkstücks (4) und Abspalten der Festkörperschicht (5) von dem Werkstück (4) ausgehend von der Bruchauslösestelle (44). |
