一种C/C-SiC复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种C/C-SiC复合材料的制备方法，属于C/C复合材料制备技术领域。本发明将密度为0.4-0.55g/cm³的碳毡置于浸渍剂中浸渍后在保护气氛下，进行固化处理和碳化处理，重复真空浸渍、加压浸渍、固化处理、碳化处理直至获得密度为1.2～1.3g/cm³的C/C多孔预制体后将所得预制体置于聚苯胺甲基硅烷溶液中浸渍，然后进行固化处理，重复浸渍、固化工艺2～3次后，在保护气氛下裂解，按浸渍、固化2～3次进行一次裂解的制度，重复浸渍、固化、裂解工艺直至获得密度为1.9～2.1g/cm³的C/C-SiC复合材料。本发明制备周期短、成本低、所得C/C-SiC复合材料性能优良，便于产业化生产。

主权项

一种C/C‑SiC复合材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：步骤一将密度为0.4～0.55g/cm³的碳毡置于浸渍剂中进行第一次浸渍后，在保护气氛下，进行固化处理和碳化处理；第一次浸渍是先在≤0.001MPa的条件下进行真空浸渍1～1.5小时，然后在2～3MPa下进行加压浸渍2～3小时；所述浸渍剂按质量份数计包括：热塑性酚醛树脂10份、六次甲基四胺0.6～1份、乙醇106～110份；步骤二重复进行浸渍、固化处理、碳化处理，直至获得密度为1.2～1.3g/cm3的C/C多孔预制体；重复浸渍时，所用浸渍剂按质量份数计包括：热塑性酚醛树脂10份、六次甲基四胺1.05～1.6份、乙醇21.2～22份；重复浸渍时，每次先在≤0.001MPa的条件下进行真空浸渍1～1.5小时，然后在1～1.5MPa下进行加压浸渍2～3小时；步骤三将步骤二所得C/C多孔预制体置于含有机硅的浸渍剂中进行浸渍后，在保护气氛下进行固化处理，经过2～3次浸渍、固化后，在保护气氛下进行一次裂解，重复上述操作直至获得密度为1.9～2.1g/cm³的C/C‑SiC复合材料；所述含有机硅的浸渍剂由苯胺与聚甲基氢硅烷按质量比苯胺：聚甲基氢硅烷＝1～2：5混合组成；所述浸渍是：先在≤0.001MPa的条件下进行真空浸渍，然后在1～1.5MPa下进行高压浸渍；每次真空浸渍的时间为1～1.5h小时、每次高压浸渍的时间为1～2小时。