发明名称 |
半导体装置,制造其之方法及电子设备 |
摘要 |
一种半导体装置包含:一第一半导体晶片;及一第二半导体晶片,其堆叠在该第一半导体晶片上。该第一半导体晶片包含一第一布线部分,该第一布线部分之一侧表面曝露于该第一半导体晶片之一侧部分处。该第二半导体晶片包含一第二布线部分,该第二布线部分之一侧表面曝露于该第二半导体晶片之一侧部分处。曝露于该第一半导体晶片及该第二半导体晶片之该等侧部分处的该第一布线部分及该第二布线部分之该等各别侧表面由一导电层覆盖,且该第一布线部分与该第二布线部分经由该导电层彼此电连接。 |
申请公布号 |
TWI459544 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW100125342 |
申请日期 |
2011.07.18 |
申请人 |
新力股份有限公司 日本 |
发明人 |
吉原郁夫;梅林拓;高桥洋;吉田博信 |
分类号 |
H01L27/14;H01L21/768;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L27/14 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种半导体装置,其包括:一第一半导体晶片;及一第二半导体晶片,其堆叠在该第一半导体晶片上,其中该第一半导体晶片包含一第一半导体基板,有一第一布线部分于其中,且一第一绝缘层系堆叠于该第一半导体基板上,该第一布线部分之一侧表面曝露于该第一半导体晶片之一侧部分处,该第二半导体晶片包含一第二半导体基板,有一第二布线部分于其中,且一第二绝缘层系堆叠于该第二半导体基板上,该第二布线部分之一侧表面曝露于该第二半导体晶片之一侧部分处,该第一绝缘层及该第二绝缘层系彼此对置,且该第一半导体晶片与该第二半导体晶片之对置表面系彼此接合;曝露于该第一半导体晶片及该第二半导体晶片之该等侧部分处的该第一布线部分及该第二布线部分之该等各别侧表面由一导电层覆盖,且该第一布线部分与该第二布线部分经由该导电层彼此电连接,且该第一半导体基板比该第二半导体基板薄。 |
地址 |
日本 |