发明名称 |
半导体封装结构及其制法 |
摘要 |
一种半导体封装结构及其制法,该半导体封装结构包括:半导体晶片、包覆层、介电层、线路层及绝缘保护层,该包覆层包覆该半导体晶片且外露该半导体晶片的电极垫上的金属凸块,该介电层系形成于该金属凸块与包覆层上且外露该金属凸块,该线路层系形成于各该介电层开槽区中且电性连接该金属凸块,该绝缘保护层系形成于该介电层与线路层上且外露部分该线路层。相较于知技术,本发明之半导体封装结构及其制法能有效改善半导体封装结构整体容易翘曲、及其内部的半导体晶片容易于封装过程中损坏等问题。 |
申请公布号 |
TWI459481 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
申请号 |
TW100124687 |
申请日期 |
2011.07.12 |
申请人 |
欣兴电子股份有限公司 桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号 |
发明人 |
胡迪群;曾子章;胡玉山 |
分类号 |
H01L21/58;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L21/58 |
代理机构 |
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代理人 |
陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种半导体封装结构,系包括:半导体晶片,系具有相对之作用面与非作用面、及形成于该作用面上之复数电极垫,该作用面与该等电极垫上形成有钝化层,该钝化层具有外露各该电极垫的钝化层开孔,各该钝化层开孔中的电极垫上形成有金属凸块;包覆层,系包覆该半导体晶片,并具有相对之第一表面与第二表面,各该金属凸块系外露于该包覆层之第一表面;介电层,系形成于该第一表面与金属凸块上,且具有复数外露各该金属凸块的介电层开槽区;线路层,系形成于各该介电层开槽区中,且电性连接该金属凸块,该线路层延伸至该作用面外的范围;绝缘保护层,系形成于该介电层与线路层上,且形成有复数绝缘保护层开孔,以外露部分该线路层;以及标签层,系形成于该包覆层之第二表面上,并具有雷射标签沟槽。 |
地址 |
桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号 |