| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置，其具有凸块底层金属结构于焊料凸块之下，且与之电性连接。凸块底层金属结构包括一具有第一剖面尺寸d1之第一金属化层、一具有第二剖面尺寸d2之第二金属化层，形成于第一金属化层上、一具有第三剖面尺寸d3之第三金属化层，形成于第二金属化层上，其中d1大于d3，且d3大于d2。 |
| 申请公布号 |
TWI459524 |
申请公布日期 |
2014.11.01 |
| 申请号 |
TW100123817 |
申请日期 |
2011.07.06 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
吴逸文;郭宏瑞;黄见翎;刘重希 |
| 分类号 |
H01L23/488;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/488 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一半导体基底；一凸块底层金属结构，于该半导体基底上；以及一焊料凸块，于该凸块底层金属结构上，且与该凸块底层金属结构电性连接；其中该凸块底层金属结构包括一具有第一剖面尺寸d1之第一金属化层、一具有第二剖面尺寸d2之第二金属化层，形成于该第一金属化层上、一具有第三剖面尺寸d3之第三金属化层，形成于该第二金属化层上，其中d1大于d3。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
