| 发明名称 | 具有硅穿孔的整合结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有硅穿孔的整合结构，包含：衬底；硅穿孔，贯穿该衬底；导电保护结构，围绕该硅穿孔;第一与第二导电冗余图案，介于该硅穿孔与该导电保护结构之间且具有不同的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN104124228A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201310156159.8 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 艾芬维顾问股份有限公司 | 发明人 | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种具有硅穿孔的整合结构，包含：衬底；硅穿孔，贯穿该衬底；导电保护结构，围绕该硅穿孔；及第一与第二导电冗余图案，介于该硅穿孔与该导电保护结构之间且具有不同的形状。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市香山区芝柏三街52号 | ||