| 发明名称 | 等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置。该等离子体产生装置包括：RF电源，其提供RF信号；等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；第一电磁电感器，其安装在等离子体腔室的一部分，并且在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第二电磁电感器，其安装在等离子体腔室的另一部分，并在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第一负载，其连接到第一电磁电感器；第二负载，其连接到第二电磁电感器；以及控制器，其通过调整第一负载和第二负载中的至少一个的阻抗，控制供应至第一电磁电感器和第二电磁电感器的电力。 | ||
| 申请公布号 | CN104125697A | 申请公布日期 | 2014.10.29 |
| 申请号 | CN201410166079.5 | 申请日期 | 2014.04.23 |
| 申请人 | PSK有限公司 | 发明人 | 蔡熙善;赵政熙;李锺植;李韩生;金贤峻 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01)I;H05H1/02(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 唐京桥;陈炜 |
| 主权项 | 一种等离子体产生装置，包括:RF电源，其提供RF信号；等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；第一电磁电感器，其安装在所述等离子体腔室的一部分，并且在所述RF信号被施加时在所述等离子体腔室中感应电磁场；第二电磁电感器，其安装在所述等离子体腔室的另一部分，并且在所述RF信号被施加时在所述等离子体腔室中感应电磁场；第一负载，其连接到所述第一电磁电感器；第二负载，其连接到所述第二电磁电感器；以及控制器，其通过调整所述第一负载和所述第二负载中的至少一个的阻抗，来控制供应至所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器的电力。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||