发明名称 单元库与基于单元库形成的集成电路结构
摘要 本实用新型公开了一种单元库与基于单元库形成的集成电路结构,单元库包括:沿第一方向、第二方向延伸的单元区域,单元区域的底层包含具有有源区域、扩散区域及栅极带区域的MOS管区域;单元区域的导体层包含有若干导体、电源线、地线;通过设置单元区域的至少一个区域因子,从而在单元区域中的导体层预留至少一条第一金属走线的布线空间,其中,区域因子包括单元块中电源线的宽度、地线的宽度、导体的位置、导体的宽度、有源区域的位置、有源区域的尺寸中的一种。通过采用本实用新型的技术方案,能够增加走线资源10-15%,并且减小电源地线的电阻,增加电流强度。
申请公布号 CN203895442U 申请公布日期 2014.10.22
申请号 CN201420226453.1 申请日期 2014.05.05
申请人 格科微电子(上海)有限公司 发明人 赵立新;俞大立;柳雅琳;庄群峰
分类号 H01L23/528(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/528(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 郑立柱
主权项 一种单元库,其特征在于,所述单元库包括:沿第一方向、第二方向延伸的单元区域,所述单元区域的底层包含具有有源区域、扩散区域及栅极带区域的MOS管区域;所述单元区域的导体层包含有若干导体、电源线、地线;通过设置所述单元区域的至少一个区域因子,从而在所述单元区域中的所述导体层预留至少一条第一金属走线的布线空间,其中,所述区域因子包括所述单元块中所述电源线的宽度、地线的宽度、导体的位置、导体的宽度、有源区域的位置、有源区域的尺寸中的一种。
地址 201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11楼