一种微探针阵列及其制作方法

摘要

本发明公开了一种微探针阵列，包括设有深孔的基板、位于基板上方的金属探针阵列以及位于基板下方的背面引线；基板上、下表层以及深孔的侧壁设有绝缘介质层，深孔内设有连接所述背面引线的金属连接件；所述金属探针阵列包括一组金属探针，所述金属探针两端与基板连接，中部为悬空的悬臂平台，悬臂平台上设有针尖，所述金属探针的一端连接所述金属连接件。本发明还公开了所述微探针阵列的制作方法。本发明具有很好的适应性、能够满足很多具有不规则引线焊盘的芯片测试需要。不仅如此，上述探针还具有很好的机械性能、电学性能，及优良的耐久性能；该微探针结构具有微小的尺寸，且易于规模化制作。

主权项

一种微探针阵列的制作方法，其特征是该方法包括以下步骤:步骤1，将上下两片硅片键合在一起形成SOI结构，两片硅片中间设有绝缘介质层；步骤2，在下层硅片上刻蚀出直达中间绝缘介质层的深孔，在上层硅片上刻蚀出与针尖高度相同深度的深槽；步骤3，在上层硅片上表面和下层硅片下表面制作绝缘介质层，其中下层硅片的深孔的侧壁上制作绝缘介质，上层硅片的深槽内填充满绝缘介质；步骤4，在下层硅片的深孔内填充金属形成金属连接件；步骤5，根据所述深槽位置，对上层硅片表面进行第一次光刻并进行第一次硅的各向异性刻蚀以形成针尖状台阶；步骤6，进行第二次光刻及第二次的硅的各向异性刻蚀直到中间的绝缘介质层，以形成梯形台阶；步骤7，对上层硅片的表面溅射金属，之后光刻掉多余部分金属形成微探针结构；步骤8，对下层硅片的表面进行金属淀积并光刻掉多余部分金属形成背面引线；步骤9，刻蚀掉中间的绝缘介质层以上的所有上层硅片以及深槽内的绝缘介质，从而释放所有微探针结构构成微探针阵列；步骤10，对微探针阵列进行退火处理。