发明名称 |
太阳能电池CuxZnSnSy薄膜(CZTS)之制造方法 |
摘要 |
本发明系关于一种太阳能电池CuxZnSnSy薄膜(CZTS)之制造方法,该CZTS吸收层薄膜以溶胶凝胶法(So-gel)制备,再进行硫化制程以得到趋近于化学组成比(Cu2ZnSnS4)之CZTS,藉以相对简易设施便可达到硫化处理制程。 |
申请公布号 |
TWI458115 |
申请公布日期 |
2014.10.21 |
申请号 |
TW098138311 |
申请日期 |
2009.11.11 |
申请人 |
国立高雄海洋科技大学 高雄市楠梓区海专路142号 |
发明人 |
叶旻彦;武东星;李晋承 |
分类号 |
H01L31/18;H01L31/0216 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
|
代理人 |
卢信智 台南市安平区府前四街96号 |
主权项 |
一种太阳能电池CuxZnSnSy薄膜(CZTS)之制造方法,其中0≦x≦2,0≦y≦4,其步骤至少包括:A.取可形成CZTS溶胶凝胶之前驱物的化合物加入溶剂:B.形成CZTS溶胶-凝胶(sol-gel)前驱物(precursors):C.将基板置入此含有该前驱物之溶液中进行薄膜沉积,经沉积后取出,在基板上得到一层CZTS沉积物:D.CZTS沉积物周围置放硫粉,将容器密封以得到饱和的硫蒸气持续的对CZTS沉积物进行硫化处理,形成CZTS薄膜,完成CZTS薄膜硫化处理制程。 |
地址 |
高雄市楠梓区海专路142号 |