| 摘要 |
1. Способ измерения площади поперечного сечения кристалла для его регулирования в процессе выращивания кристалла вытягиванием из расплава с помощью механизма вытягивания с управляемым приводом в ростовых установках, имеющих датчик веса кристалла или тигля с расплавом, отличающийся тем, что равномерное движение, сообщаемое механизмом вытягивания затравкодержателю, модулируют непрерывными или импульсными ступенчатыми измерительными возвратно-поступательными перемещениями, регистрируют величины перемещений затравкодержателя и величины выделенных модулированных откликов датчика веса и вычисляют текущую величину площади поперечного сечения растущего кристалла по величинам выделенных откликов датчика веса, модулированных силами плавучести, изменяющимися синхронно с изменениями положения кристалла относительно уровня расплава.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что задают амплитуду, величина которой мала по сравнению с высотой мениска, и частоту измерительного перемещения разными на разных стадиях роста, исходя из чувствительности датчика веса, соотношения диаметров тигля и диаметра кристалла, при этом величины амплитуды и частоты должны быть таким, чтобы не вызывать существенных возмущений процесса роста.3. Способ по любому из пп.1 и 2, отличающийся тем, что при импульсном варианте модуляции скорости вытягивания задают величину измерительного перемещения Δz и период следования импульсных измерительных перемещений Т. |
