发明名称 半导体装置之制造方法,基板处理装置及记录媒体
摘要 [课题]提高半导体装置之制造品质,并提高生产率。[解决手段]本发明包含有:将于表面具有焊料之基板,载置于在处理室内所设置之基板支持部之步骤,而该焊料系于表面形成有含氧膜;对处理室内供给还原性气体,以处理室内之热传导率作为第1热传导率而将含氧膜加以除去之氧化层除去步骤;及对处理室内供给热传导性气体,以处理室内之热传导率作为第2热传导率而使焊料产生熔融之回焊步骤。
申请公布号 TW201440153 申请公布日期 2014.10.16
申请号 TW103102437 申请日期 2014.01.23
申请人 日立国际电气股份有限公司 发明人 坪田康寿
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 <name>赖经臣</name><name>宿希成</name>
主权项
地址 日本