发明名称 |
气体供应装置及等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明公开了一种等离子体处理装置,包括等反应腔体和水平设置于反应腔体上方的气体供应装置,所述气体供应装置包括环形主体、用于引入反应气体的气体入口、嵌设于所述环形主体内与所述气体入口连通的一个气体通道以及用于排出所述反应气体的多个喷气孔。所述喷气孔的进气口与所述气体通道相连,出气口设于所述环形主体的内侧壁上,其中,所述喷气孔的出气口位于所述气体通道上方,且所述喷气孔的轴心线与所述气体供应装置的轴心线形成第一夹角。本发明能够有效提高反应气体的解离度及产生的等离子体的密度。 |
申请公布号 |
CN104103484A |
申请公布日期 |
2014.10.15 |
申请号 |
CN201310128447.2 |
申请日期 |
2013.04.15 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
张亦涛;左涛涛;倪图强 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种等离子体处理装置,包括等反应腔体和气体供应装置,所述气体供应装置水平设置于所述反应腔体上方,其中,所述气体供应装置包括: 环形主体; 气体入口,用于将所述反应腔体外的反应气体引入所述反应腔体内; 一个气体通道,嵌设于所述环形主体内,与所述气体入口连通;以及 多个喷气孔,用于将所述气体通道中的所述反应气体排出到所述反应腔体内,所述喷气孔的进气口与所述气体通道相连,出气口设于所述环形主体的内侧壁上; 其中,所述喷气孔的出气孔位于所述气体通道的上方,且所述喷气孔的轴心线与所述环形主体的轴心线形成第一夹角。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |