与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入发光器件

摘要

本实用新型涉及硅基发光电子器件技术领域，为提供一种基于标准CMOS工艺的硅基发光器件，它既可以反向偏置发光，又可以正向偏置注入发光，而且正向注入发光功率密度大、效率高。为此，本实用新型采取的技术方案是，与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入发光器件，结构为：轻掺杂的p型硅片衬底上设置有一对p⁺有源区和一对n⁺有源区，每对有源区占一轴线，两对有源区成分布；p型硅片衬底及有源区上部设置有二氧化硅电极氧化层；有源区上方区域的二氧化硅电极氧化层设置有通孔，通孔用于有源区通过TiSi₂，形成和金属之间的欧姆接触引出后形成管脚。本实用新型主要应用于硅基发光电子器件的设计制造。

主权项

一种与标准CMOS技术兼容的硅基正向注入发光器件，其特征是，结构为：轻掺杂的p型硅片衬底上设置有一对p⁺有源区和一对n⁺有源区，每对有源区占一轴线，两对有源区成十字分布；p型硅片衬底及有源区上部设置有二氧化硅电极氧化层；有源区上方区域的二氧化硅电极氧化层设置有通孔，通孔用于有源区通过TiSi₂，形成和金属之间的欧姆接触引出后形成管脚。