广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法

摘要

一种广谱高吸收太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙底部为沉积的银纳米颗粒；多个上表面接触栅电极，制作在尖锥结构的表面；一下电极，制作在p型或轻掺杂n型硅层的背面。本发明可以提高光吸收和光电转换效率。同时具有工艺简单，成本低等特点。同时还能利用工艺中起催化作用的银纳米颗粒来产生表面等离子波效应，一举两得。

主权项

一种广谱高吸收太阳能电池结构的制作方法，该方法包括：步骤1：使用金属无电沉积方法，在硅衬底上制备阵列状尖锥结构，形成电池的陷光层，该金属无电沉积方法所用的反应溶液为AgNO₃+HF+H₂O，其中AgNO₃浓度为0.01至0.1mol/L，HF浓度为1至10mol/L，反应温度在30℃至80℃之间，反应时间在20至60min之间；步骤2：使用硝酸溶液对硅衬底进行处理，去除阵列状尖锥结构表面多余的银颗粒，使阵列状尖锥结构的底部保留有少量的银纳米颗粒；步骤3：对硅衬底上的阵列状尖锥结构表面进行硫系元素的掺杂；步骤4：对掺杂后的硅衬底进行退火，以减少缺陷，激活杂质，同时固化银纳米颗粒；步骤5：在硅衬底上的阵列状尖锥结构的表面制作多个栅电极；步骤6：在硅衬底的背面制作下电极，完成太阳能电池的制备。