交叉点二极体阵列及其制造方法

摘要

本发明揭示形成一记忆体单元阵列之方法及具有若干柱之记忆体单元。个别柱可具有由一块体半导体材料形成之一半导体立柱及位于该半导体立柱上之一牺牲帽。源极区域可位于该等柱之行之间，且闸极线沿一柱行延伸并与对应源极区域间隔开。每一闸极线沿一柱行环绕该等半导体立柱之一部分。可选择性地移除该牺牲帽结构以藉此形成曝露对应半导体立柱之一顶部部分之自对准开口。形成于该等自对准开口中之个别汲极触点电连接至对应半导体立柱。

主权项

一种形成一记忆体单元阵列之方法，其包括：形成复数个柱，包括制作具有阵列渠沟及位于该等阵列渠沟中之氧化物之一浅渠沟隔离结构、形成一行渠沟遮罩及在该半导体材料中蚀刻将该等柱之该等行间隔开之行渠沟，其中个别柱具有由一半导体材料形成之一半导体立柱及位于该半导体立柱上之一牺牲帽；在该等柱之行之间形成源极区域；形成复数个闸极线，其中个别闸极线沿一对应柱行延伸并与对应源极区域间隔开，且其中每一闸极线沿一柱行环绕该等半导体立柱之一部分；选择性地移除该等牺牲帽且藉此形成曝露对应半导体立柱之一顶部部分之自对准开口；及在该等自对准开口中形成电连接至对应半导体立柱之个别汲极触点。