| 发明名称 | 用于形成半导体基板用钝化膜的材料、具有半导体基板用钝化膜的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件及太阳能电池元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有酸性基的化合物。根据本发明，可以以简便的方法形成具有优异钝化效果的半导体基板用钝化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104081517A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201280067367.4 | 申请日期 | 2012.12.11 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;足立修一郎;早坂刚 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有酸性基的化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||