| 发明名称 | 应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种应力隔离沟槽半导体器件的形成方法，包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直，在所述第二沟槽中形成第二介质层；在形成所述第一沟槽之后，在相邻的第一沟槽之间的硅基底中形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为{100}，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>。本发明在MOS晶体管的沟道宽度方向提供张应力，从而改善了PMOS晶体管和/或NMOS晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102456577B | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201010527260.6 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种应力隔离沟槽半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层；所述张应力介质层的张应力为至少1GPa；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直，在所述第二沟槽中形成第二介质层；所述第二介质层为低应力介质层；在形成所述第一沟槽之后，在相邻的第一沟槽之间的硅基底中形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为{100}，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||