发明名称 |
一种阻氚镀层及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阻氚镀层及其制备方法,目的在于解决目前研究的阻氚镀层的氚渗透降低系数(PRF)都远小于理论值,阻氚效果较差的的问题。其包括基体、设置在基体上的多层膜,多层膜由Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>镀层、SiC镀层交替沉积而成。本发明采用Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和SiC两种镀层复合,形成含有多层结构的阻氚镀层,且该阻氚镀层同时引入了C-、O-、Si-等氢捕获键,能够有效改善基体的阻氚性能;同时本发明在Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和SiC镀层之间形成界面,降低了阻氚镀层贯穿性的空洞和缺陷的出现几率,提高了镀层整体的致密度,减少氚渗透通道;Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和SiC镀层之间形成的界面,能有效改善镀层的阻氚性能。本发明为核能领域提供了一种减少乃至阻止氚渗透的新途径。 |
申请公布号 |
CN104070718A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201410332700.0 |
申请日期 |
2014.07.14 |
申请人 |
四川材料与工艺研究所 |
发明人 |
朱生发;吴艳萍;刘天伟;唐凯;魏强;肖红;蒋驰;饶永初 |
分类号 |
B32B9/04(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I |
主分类号 |
B32B9/04(2006.01)I |
代理机构 |
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 |
代理人 |
卿诚;吴彦峰 |
主权项 |
一种阻氚镀层,其特征在于,包括基体、设置在基体上的多层膜,所述多层膜由Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>镀层、SiC镀层交替沉积而成,单层的Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>镀层的厚度为10~150nm,单层的SiC镀层的厚度为10~150nm,所述多层膜的厚度为0.1μm~5μm,所述多层膜中的最底层为Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>镀层,所述多层膜通过最底层的Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>镀层沉积在基体上。 |
地址 |
621700 四川省绵阳市江油市华丰新村9号 |