用于功率元件之电荷平衡技术

摘要

一种电荷平衡半导体功率元件，包括一主动区域，该主动区域包含复数个当以一传导状态被偏压时可以导电的细胞。一非主动周边区域环绕该主动区域，其中当该等细胞以一传导状态被偏压时没有电流流过该非主动周边区域。交互排列的p柱之条状及n柱之条状沿着一覆盖该半导体功率元件之晶片的一长度延伸经过该主动区域及该非主动周边区域。

主权项

一种电荷平衡半导体功率元件，包含：一主动区域，包括当以一传导状态被偏压时可以导通电流的一胞元；一非主动周边区域，其环绕该主动区域，该非主动周边区域被配置以使得当该胞元以该传导状态被偏压时，来自该胞元的电流未流入该非主动周边区域；一第一传导类型之一第一多个柱，其沿着一第一方向对齐；一第二传导类型之一第二多个柱，其沿着该第一方向对齐并与该等第一多个柱平行，该等第一多个柱及该等第二多个柱交替配置，并设置在该第二传导类型之矽区域中且同时通过该主动区域及该非主动周边区域而延伸；该第二传导类型之该矽区域之一第一条带，其设置在该非主动周边区域中且沿着垂直该第一方向之一第二方向对齐，该第二传导类型之该矽区域之该条带界定了该等第一多个柱之每一柱的间断；以及该第二传导类型之该矽区域之一第二条带，其沿着该第二方向对齐且设置于该主动区域和该第二传导类型之该矽区域之该第一条带之间之该非主动周边区域内，该第二传导类型之该矽区域之该第二条带界定该等第一多个柱之每一柱内的第二间断。