| 发明名称 | 包括沟道停止区的半导体器件 | ||
| 摘要 | 包括沟道停止区的半导体器件。此处描述的半导体器件包括在第二导电性的沟道区域的第一侧与沟道区域邻接的第一导电类型的本体区域。第一导电类型的栅极控制区域在与第一侧相对的沟道区域的第二侧与沟道区域邻接，沟道区域配置成通过在栅极控制区域和本体区域之间施加电压控制其导电性。第二导电类型的源极区布置在本体区域内且第二导电类型的沟道停止区布置在第一侧，沟道停止区至少部分地布置在本体区域和沟道区域至少之一内。沟道停止区包括比源极区域的最大掺杂剂浓度低的最大掺杂剂浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN102339862B | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201110196783.1 | 申请日期 | 2011.07.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | R.埃尔佩尔特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包含：第一导电类型的本体区域，其在第二导电的沟道区域的第一侧与沟道区域邻接；第一导电类型的栅极控制区域，其在与第一侧相对的沟道区域的第二侧与沟道区域邻接，该沟道区域配置成通过在栅极控制区域和本体区域之间施加电压来控制其导电性；本体区域内第二导电类型的源极区；以及布置在第一侧的第二导电类型的沟道停止区，该沟道停止区至少部分地布置在本体区域和沟道区域至少之一内，该沟道停止区包括比源极区的最大掺杂剂浓度低的最大掺杂剂浓度。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||