发明名称 一种桂花的扦插繁殖方法
摘要 本发明涉及一种桂花的扦插繁殖方法,其特征在于,所述方法包括以下主要步骤,1)桂花扦插繁殖以五六月份最宜,桂花的适生根温度为25℃—28℃;2)桂花扦插基质要求疏松透气透气、排水透气良好、含腐殖质高的PH酸性土或砂质土,最好用蛭石,苗床四周应留通道,开好排水透气沟,插前土壤要消毒,苗床上设一个高度45cm的塑料拱棚,以保湿并防淋雨积水。棚上再搭一个高约1.6m的遮荫棚;3)插穗的采取应在早晚或荫天进行,避免高温插穗;4)插穗下端蘸ABT生根粉或用200ppm至500ppm吲哚丁酸浸泡5分钟至10分钟,入土2/3,株行距6×6cm。插后浇透水,然后盖上塑料薄膜;5)桂花扦插初期荫棚遮荫度保持在80%左右。
申请公布号 CN104041297A 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201410291921.8 申请日期 2014.06.26
申请人 殷峰 发明人 殷峰
分类号 A01G1/00(2006.01)I 主分类号 A01G1/00(2006.01)I
代理机构 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人 吕书桁
主权项 一种桂花的扦插繁殖方法,其特征在于,所述方法包括以下主要步骤,1)桂花扦插繁殖以五六月份最宜,桂花的适生根温度为25℃—28℃;2)桂花扦插基质要求疏松透气透气、排水透气良好、含腐殖质高的PH酸性土或砂质土,最好用蛭石,苗床四周应留通道,开好排水透气沟,插前土壤要消毒,苗床上设一个高度45cm的塑料拱棚,以保湿并防淋雨积水;棚上再搭一个高约1.6m的遮荫棚;3)插穗的采取应在早晚或荫天进行,避免高温插穗;4)插穗下端蘸ABT生根粉或用200ppm至500ppm吲哚丁酸浸泡5分钟至10分钟,入土2/3,株行距6×6cm;插后浇透水,然后盖上塑料薄膜;5) 桂花扦插初期荫棚遮荫度保持在80%左右,这样既防止强光直晒,又保证有足够的散射阳光,以利带叶插穗进行光合作用,有利于生根,扦插10天后,叶喷化肥一次以保证营养。
地址 210043 江苏省南京市栖霞区兑南村300-3号