发明名称 |
MOSFET半桥驱动电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种MOSFET半桥驱动电路,包括死区时间控制电路。死区时间控制电路包括:第一充放电电路,第一充放电电路包括第一电阻和第一电容,第一电阻的一端为该死区时间控制电路的信号输入端;第一电容的一端与第一电阻的另一端连接,另一端接地;电平转换电路,电平转换电路的输入端连接于第一电阻和第一电容的共接点,输出端与PMOS管的栅极连接;第二充放电电路,第二充放电电路包括稳压管和第二电容,稳压管的负极与第一电阻的一端连接,第二电容的一端与稳压管正极连接,另一端接地;NMOS管的栅极连接于稳压管与第二电容的共接点。本实用新型在MOSFET半桥的上管和下管切换时实现了快关慢开,有效地产生了死区。 |
申请公布号 |
CN203840191U |
申请公布日期 |
2014.09.17 |
申请号 |
CN201420204976.6 |
申请日期 |
2014.04.24 |
申请人 |
科博达技术有限公司;浙江科博达工业有限公司;温州科博达汽车部件有限公司 |
发明人 |
唐杰 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I;H02M1/38(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海华祺知识产权代理事务所 31247 |
代理人 |
刘卫宇 |
主权项 |
MOSFET半桥驱动电路,该MOSFET半桥包括上管和下管,所述的上管为PMOS管,所述的下管为NMOS管,所述PMOS管的源极与半桥驱动电路电源连接,所述PMOS管的漏极与所述NMOS管的漏极连接,所述NMOS管的源极接地;其特征在于,该MOSFET半桥驱动电路包括死区时间控制电路;其中: 所述的死区时间控制电路包括: 第一充放电电路,该第一充放电电路包括第一电阻和第一电容,所述第一电阻的一端为该死区时间控制电路的信号输入端,第一电容的一端与第一电阻的另一端连接,第一电容的另一端接地; 电平转换电路,该电平转换电路的输入端连接于所述第一电阻和第一电容的共接点,输出端与所述PMOS管的栅极连接; 第二充放电电路,该第二充放电电路包括稳压管和第二电容,所述稳压管的负极与第一电阻的一端连接,所述第二电容的一端与该稳压管的正极连接,第二电容的另一端接地;所述NMOS管的栅极连接于所述稳压管与所述第二电容的共接点。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路2388号 |